200+ Trắc nghiệm Điện tử công suất (có đáp án)

Tổng hợp trên 200 câu hỏi trắc nghiệm Điện tử công suất có đáp án với các câu hỏi đa dạng, phong phú từ nhiều nguồn giúp sinh viên ôn trắc nghiệm Điện tử công suất đạt kết quả cao.

200+ Trắc nghiệm Điện tử công suất (có đáp án)

Câu 1: Đối với một công tắc bán dẫn lý tưởng, năng lượng thất thoát trong thời gian khởi dẫn là

A. W_SWON = $\frac{1}{6}$V.I.t_swoff

B. W_SWON = $\frac{1}{6}$V.I.t_swon

C. W_SWON = $\frac{1}{3}$V.I.t_swon

D. W_SWON = $\frac{1}{3}$V.I.t_swoff

Hiển thị đáp án

Chọn đáp án B

Câu 2: Đối với một công tắc bán dẫn lý tưởng, năng lượng thất thoát trong thời gian khởi ngưng là

A. W_SWOFF = $\frac{1}{6}$V.I.t_swoff

B. W_SWOFF = $\frac{1}{6}$V.I.t_swon

C. W_SWOFF = $\frac{1}{3}$V.I.t_swon

D. W_SWOFF = $\frac{1}{3}$V.I.t_swoff

Hiển thị đáp án

Chọn đáp án A

Câu 3: Đối với một công tắc bán dẫn lý tưởng, năng lượng thất thoát trong một chu kỳ giao hoán là

A. W_SW = $\frac{1}{3}$V.I(t_swon + t_swoff)

B. W_SW = $\frac{1}{6}$V.I(t_swon + t_swoff)

C. W_SW = $\frac{1}{2}$V.I(t_swon + t_swoff)

D. W_SW = V.I(t_swon + t_swoff)

Hiển thị đáp án

Chọn đáp án B

Câu 4: Đối với một công tắc bán dẫn lý tưởng, công suất tiêu tán trong một chu kỳ giao hoán là (C)

A. P_SW = $\frac{1}{3}$VI(t_swon + t_swoff)f

B. P_SW = $\frac{1}{2}$VI(t_swon + t_swoff)f

C. P_SW = $\frac{1}{6}$VI(t_swon + t_swoff)f

D. P_SW = VI(t_swon + t_swoff)f

Hiển thị đáp án

Chọn đáp án C

Câu 5: Công suất thất thoát tổng cộng của một diode được tính (A)

A. P_T = P_ON + P_OFF + P_SW

B. P_T = V_FI_F$\frac{t_{on}}{T}$

C. P_T = V_FI_{F$\frac{t_{off}}{T}$}

D. P_T = $\frac{1}{6}$V_FmaxI_Fmax(t_swon + t_swoff)f

Hiển thị đáp án

Chọn đáp án A

Câu 6: Transistor công suất (BJT) được xem như là một công tắc bán dẫn có khả năng chịu được dòng điện lớn nên điện tính trong vùng phát phải thật lớn vì thế

A. Transistor được thiết kế độ rộng vùng phát hẹp để giảm điện trở nền ký sinh

B. Transistor có cấu trúc xen kẽ (interdigitated structure) của nhiều cực nền và cực phát

C. Transistor có điện trở cực phát rất nhỏ

D. Các câu A, B, C đều đúng

Hiển thị đáp án

Chọn đáp án D

Câu 7: Phát biểu nào sau đây đúng về đặc tính của transistor (BJT) công suất (D)

A. Độ lợi dòng nhỏ còn tùy thuộc vào dòng thu và nhiệt độ, dòng thu càng lớn độ lợi càng nhỏ

B. Độ lợi dòng lớn còn tùy thuộc vào dòng thu và nhiệt độ, dòng thu càng lớn độ lợi càng lớn

C. Ngoài hiện tượng hủy thác do phân cực nghịch còn có hiện tượng hủy thác thứ cấp do transistor hoạt động ở điện thế và dòng lớn

D. Các câu A và C đều đúng

Hiển thị đáp án

Chọn đáp án D

Câu 8: Công suất thất thoát khi Transistor công suất (BJT) dẫn bão hòa sẽ là (A)

A. P_ON = V_CEbhI_CM + V_BEbhI_B

B. P_ON = V_CCI_{r$\frac{t_{off}}{T}$}

C. P_ON = V_CEbhI_CM + V_CEbhI_B

D. P_ON = V_CCI_{CM$\frac{t_{on}}{T}$}

Hiển thị đáp án

Chọn đáp án A

Câu 9: Công suất thất thoát khi Transistor công suất (BJT) ngưng dẫn và dòng rỉ rất bé công thức nào sau đây là chính xác nhất (B)

A. P_OFF = V_CEbhI_CM + V_BEbhI_B

B. P_OFF = V_CCI_{r$\frac{t_{off}}{T}$}

C. P_OFF = V_CEbhI_CM + V_CEbhI_B

D. P_OFF = V_CCI_{CM$\frac{t_{on}}{T}$}

Hiển thị đáp án

Chọn đáp án B

Câu 10: Năng lượng thất thoát tổng cộng của Transistor công suất (BJT) khi giao hoán là (B)

A. W_SW = $\frac{1}{3}$V_CEM.I_CM (t_swon + t_swoff)

B. W_SW = $\frac{1}{6}$V_CEM.I_CM (t_swon + t_swoff)

C. W_SW = $\frac{1}{2}$V_CEM.I_CM (t_swon + t_swoff)

D. W_SW = V_CEM.I_CM (t_swon + t_swoff)

Hiển thị đáp án

Chọn đáp án B

Câu 11: Công suất thất thoát tổng cộng của Transistor công suất (BJT) khi giao hoán là (C)

A. P_T = P_ON + P_OFF + P_SWON

B. P_T = (P_ON + P_OFF + P_SW)

C. P_T = (P_ONt_on + P_OFFt_off + W_SW)f

D. P_T = (P_ON + P_OFF + W_SW)f

Hiển thị đáp án

Chọn đáp án C

Câu 12: Phát biểu nào sau đây đúng cho cấu trúc của mosfet công suất (B)

A. Có cấu trúc xen kẽ của các tiếp giáp np để cấp dòng lớn

B. Có cấu trúc kênh dẫn theo hình chữ V nên còn gọi là V-mosfet để cấp dòng lớn

C. Có diện tích tiếp xúc của vùng hiếm nhỏ để cấp dòng lớn

D. Các câu A, B, C đều đúng

Hiển thị đáp án

Chọn đáp án B

Câu 13: Phát biểu nào sau đây đúng cho đặc tính của mosfet công suất (D)

A. Điện trở giữa cực D và S khi dẫn nhỏ (vài chục mΩ)

B. Tổng trở vào rất lớn, điện thế cực đại V_GS​ cỡ vài chục volt

C. Thời gian đáp ứng trên dãy nhiệt độ rộng, thời gian giao hoán nhanh (> 100kHz)

D. Tất cả các câu A, B, C đều đúng

Hiển thị đáp án

Chọn đáp án D

Câu 14: Phát biểu nào sau đây đúng về sự khác biệt của mosfet so với BJT công suất (C)

A. Tần số làm việc thấp so với BJT công suất

B. Đáp ứng tần số nhỏ hơn BJT công suất

C. Đặc tuyến có trị số tới hạn tối đa, không có hiện tượng hủy thác thứ cấp so với BJT công suất

D. Thực hiện mạch thúc khó hơn BJT công suất

Hiển thị đáp án

Chọn đáp án C

Câu 15: Công suất tổn hao của mosfet công suất khi dẫn sẽ là (B)

A. ​P_ON = $I_D^2$R_{DSon$\frac{t_{off}}{T}$}

B. P_ON = $I_D^2$R_{DSon$\frac{t_{on}}{T}$}

C. ​ P_ON = V_DSmaxI_{DR $\frac{t_{on}}{T}$}

D. ​ P_ON = V_DSmaxI_{DR $\frac{t_{off}}{T}$}

Hiển thị đáp án

Chọn đáp án B

Câu 16: Công suất tổn hao của mosfet công suất ngưng dẫn sẽ là (D)

A. ​P_OFF = $I_D^2$R_{DSon$\frac{t_{off}}{T}$}

B. P_OFF = $I_D^2$R_{DSon$\frac{t_{on}}{T}$}

C. ​ P_OFF = V_DSmaxI_{DR$\frac{t_{on}}{T}$}

D. ​ P_OFF = V_DSmaxI_{DR$\frac{t_{off}}{T}$}

Hiển thị đáp án

Chọn đáp án D

Câu 17: Năng lượng tổn hao của mosfet công suất sẽ là (B)

A. W_SW = $\frac{1}{3}$V_DSmax.I_D (t_swon + t_swoff)

B. W_SW = $\frac{1}{6}$V_DSmax.I_D (t_swon + t_swoff)

C. W_SW = $\frac{1}{2}$V_DSmax.I_D (t_swon + t_swoff)

D. W_SW = V_DSmax.I_D (t_swon + t_swoff)

Hiển thị đáp án

Chọn đáp án B

Câu 18: Công suất tổn hao của mosfet công suất trong thời gian giao hoán là (C)

A. P_SW = P_ON + P_OFF + P_SWON

B. P_SW = (P_ON + P_OFF + W_SW)

C. P_SW = (W_SWon + W_SWoff)f

D. P_SW = (P_ON + P_OFF + W_SW)f

Hiển thị đáp án

Chọn đáp án C

Câu 19: Công suất tổn hao tổng cộng của mosfet công suất là (A)

A. P_T = P_ON + P_OFF + P_SW

B. P_T = V_DSI_{D$\frac{t_{on}}{T}$}

C. P_T = V_CDI_{D$\frac{t_{off}}{T}$}

D. P_T = $\frac{1}{6}$V_DSmaxI_D(t_swon + t_swoff)f

Hiển thị đáp án

Chọn đáp án A

Câu 20: Triac có bao nhiêu cách kích dẫn (D)

A. Một cách

B. Hai cách

C. Ba cách

D. Bốn cách

Hiển thị đáp án

Chọn đáp án D

Câu 21: Phát biểu nào sau đây đúng và thuận lợi trong việc kích dẫn triac (A)

A. Dòng kích dương trong trường hợp dòng qua triac dương, dòng kích âm trong trường hợp dòng qua triac âm

B. Dòng kích dương trong trường hợp dòng qua triac dương, dòng kích dương trong trường hợp dòng qua triac âm

C. Dòng kích âm trong trường hợp dòng qua triac dương, dòng kích âm trong trường hợp dòng qua triac âm

D. Dòng kích âm trong trường hợp dòng qua triac dương, dòng kích dương trong trường hợp dòng qua triac âm

Hiển thị đáp án

Chọn đáp án A

Câu 22: Phát biểu nào sau đây đúng cho cách kích triac (B)

A. Vì triac dẫn cả hai chiều nên kích bằng điện DC và bằng xung thì thông dụng hơn bằng điện AC

B. Vì triac dẫn cả hai chiều nên kích bằng điện AC và bằng xung thì thông dụng hơn bằng điện DC

C. Vì triac dẫn chỉ một chiều nên kích bằng điện AC và bằng xung thì thông dụng hơn bằng điện DC

D. Vì triac dẫn cả hai chiều nên kích bằng điện AC và bằng DC thì thông dụng hơn bằng xung

Hiển thị đáp án

Chọn đáp án B

Câu 23: Phát biểu nào đúng cho SCS (Silicon Controlled Switch) (C)

A. Có cấu tạo giống như SCR nhưng cực G kích xung âm để điều khiển đóng

B. Có cấu tạo giống như GTO nhưng cực G kích xung dương để điều khiển đóng

C. Có cấu tạo giống như SCR nhưng có hai cực G kích xung âm và xung dương để điều khiển đóng hoặc ngắt

D. Các phát biểu trên đều đúng

Hiển thị đáp án

Chọn đáp án C

Câu 24: Phát biểu nào đúng cho việc điều khiển đóng ngắt SCS (Silicon Controlled Switch) (C)

A. Muốn SCS dẫn ta cấp nguồn V_AK​ âm và cho xung kích đi vào cực G_K, nếu muốn SCS ngưng ta cho tiếp một xung kích đi ra cực G_A

B. Muốn SCS dẫn ta cấp nguồn V_AK ​dương và cho xung kích đi vào cực G_A, nếu muốn SCS ngưng ta cho tiếp một xung kích đi ra cực G_K

C. Muốn SCS dẫn ta cấp nguồn V_AK ​dương và cho xung kích đi vào cực G_K, nếu muốn SCS ngưng ta cho tiếp một xung kích đi ra cực G_A

D. Muốn SCS dẫn ta cấp nguồn V_AK ​âm và cho xung kích đi vào cực G_A nếu muốn SCS ngưng ta cho tiếp một xung kích đi ra cực G_K

Hiển thị đáp án

Chọn đáp án C

Câu 25: Phát biểu nào sau đây đúng cho GTO (Gate Turn-Off SCR) (B)

A. GTO có cấu tạo giống như SCS, nhưng không có cực G_A

B. GTO có cấu tạo giống như SCR nhưng có thêm cực điều khiển ngắt mắc song song với cực điều khiển đóng

C. GTO có cấu tạo giống như SCR nhưng có thêm cực điều khiển ngắt mắc đối diện với cực điều khiển đóng

D. Các phát biểu trên đều sai

Hiển thị đáp án

Chọn đáp án B

................................

................................

................................

Xem thêm câu hỏi trắc nghiệm các môn học Đại học có đáp án hay khác:

• Trắc nghiệm Lý sinh

• Trắc nghiệm Vi sinh vật học thực phẩm

• Trắc nghiệm Ngôn ngữ học đối chiếu

• Trắc nghiệm An sinh xã hội

• Trắc nghiệm Tâm lí học phát triển

• Trắc nghiệm Địa lí Việt Nam

---